[发明专利]半导体存储器件在审
| 申请号： | 202110828263.1 | 申请日： | 2021-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN113972214A | 公开（公告）日： | 2022-01-25 |
| 发明（设计）人： | 金志荣;梁宇成;黄盛珉;成锡江;任峻成 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/11582 | 分类号： | H01L27/11582;H01L27/1157;H01L27/11565;H01L27/11556;H01L27/11524;H01L27/11519 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 纪雯 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体存储器件，包括：第一堆叠结构、第一支撑层、第二堆叠结构、块切割结构、以及在所述第二堆叠结构上并且由第二切割图案分开的第二支撑层。所述第一堆叠结构包括第一堆叠和第二堆叠，所述第二堆叠结构包括由所述块切割结构分开的第三堆叠和第四堆叠，所述第一支撑层在所述第一堆叠和所述第二堆叠上，所述第二支撑层在所述第三堆叠和所述第四堆叠上，第一切割图案包括所述块切割结构上并且连接所述第一支撑层和所述第二堆叠的第一连接，并且所述第二支撑层的所述第二切割图案包括所述块切割结构上并且连接设置在所述第三堆叠和所述第四堆叠上的所述第二支撑层的第二连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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