[发明专利]半导体存储器件

权利要求书

1.一种半导体存储器件，包括：

第一堆叠结构，在衬底上，所述第一堆叠结构包括在第一方向上堆叠的第一栅电极；

第一支撑层，在所述第一堆叠结构上，所述第一支撑层由第一切割图案划分；

第二堆叠结构，在所述第一支撑层上，所述第二堆叠结构包括在所述第一方向上堆叠的第二栅电极；

块切割结构，在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸，并且切割所述第二堆叠结构或所述第一堆叠结构中的至少一个；

第二支撑层，在所述第二堆叠结构上并且由第二切割图案划分；以及

沟道结构，包括穿透所述第一堆叠结构的下沟道结构、以及穿透所述第一支撑层和所述第二堆叠结构的上沟道结构，

其中，所述沟道结构在与所述第二方向交叉的第三方向上的上表面的宽度大于所述沟道结构在所述第三方向上的下表面的宽度，所述下沟道结构在所述第二方向上的最上表面的宽度大于所述上沟道结构在所述第二方向上的最下表面的宽度，

所述第一堆叠结构包括由所述块切割结构至少部分地划分的第一堆叠和第二堆叠，

所述第二堆叠结构包括所述第一堆叠上的第三堆叠、以及所述第二堆叠上的第四堆叠，所述第三堆叠和所述第四堆叠由所述块切割结构分开，

所述第一支撑层在所述第一堆叠和所述第二堆叠上，

所述第二支撑层在所述第三堆叠和所述第四堆叠上，

所述第一支撑层的所述第一切割图案包括所述块切割结构上的第一连接，所述第一连接将所述第一堆叠上的所述第一支撑层与所述第二堆叠相连接，并且

所述第二支撑层的所述第二切割图案包括所述块切割结构上的第二连接，所述第二连接将所述第三堆叠上的所述第二支撑层与所述第四堆叠相连接。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述第一连接包括在所述第二方向上彼此间隔开的n个第一子连接，

所述第二连接包括在所述第二方向上彼此间隔开的m个第二子连接，并且

n和m是大于或等于1的整数，并且n大于m。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述第一连接包括在所述第二方向上彼此间隔开的n个第一子连接，

所述第二连接包括在所述第二方向上彼此间隔开的m个第二子连接，n和m是大于或等于1的整数，并且n小于m。

4.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述块切割结构包括：第一子切割结构，所述第一子切割结构切割所述第一堆叠结构、所述第一切割图案和所述第二堆叠结构；以及第二子切割结构，所述第二子切割结构切割所述第二堆叠结构，并且

所述第二子切割结构在所述第一连接上。

5.根据权利要求4所述的半导体存储器件，其中，所述第一子切割结构和所述第二子切割结构在所述第二方向上交替。

6.根据权利要求4所述的半导体存储器件，其中，所述第一堆叠结构还包括：连接所述第一堆叠和所述第二堆叠的第一连接堆叠，并且

所述第一连接在所述第一连接堆叠上。

7.根据权利要求4所述的半导体存储器件，其中，所述块切割结构在所述第三方向上的上表面的宽度大于所述块切割结构在所述第三方向上的下表面的宽度。

8.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述块切割结构包括：

(a)第一子切割结构，切割所述第一堆叠结构、所述第一切割图案和所述第二堆叠结构；

(b)第二子切割结构，切割所述第二堆叠结构；以及

(c)第三子切割结构，切割所述第一堆叠结构，其中

所述第一子切割结构和所述第三子切割结构在所述第一方向上由所述第一支撑层彼此间隔开。

9.根据权利要求8所述的半导体存储器件，其中，所述第三子切割结构在所述第三方向上的上表面的宽度大于所述第二子切割结构在所述第三方向上的下表面的宽度。