[发明专利]发光元件在审
| 申请号： | 202110805173.0 | 申请日： | 2021-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN115621399A | 公开（公告）日： | 2023-01-17 |
| 发明（设计）人： | 张智超;郭家彰;黄国维;宋玉玺 | 申请（专利权）人： | 隆达电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/60 | 分类号： | H01L33/60;H01L33/62;H01L33/46 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种发光元件包含一基板、一金属镀层以及一发光芯片。基板包含一顶面，顶面具有一面积A1。金属镀层配置于顶面上，金属镀层具有一总面积A2。发光芯片配置于金属镀层上，发光芯片具有一底面积A3，其中(A2‑A3)/A1的面积比例在35～50％之间，使得金属镀层的老化变色的速度符合老化变色速度的规范。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 元件 | ||
【主权项】：
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- 俄文文;王雪;郭凯;张晓娜;李开心;李晋闽 - 山西中科潞安紫外光电科技有限公司
- 2023-06-13 - 2023-07-14 - H01L33/60
- 本发明属于芯片制备技术领域，具体涉及具有高推力值的发光二极管芯片及其制备方法，包括基底、氮化铝层、N半导体结构、量子阱结构、P半导体结构、N欧姆接触电极、N填平结构和P欧姆接触电极，N半导体结构上刻蚀有台面，N欧姆接触电极蒸镀在N半导体结构的台面上，N填平结构蒸镀在N欧姆接触电极上，P半导体结构上刻蚀有台面，P欧姆接触电极蒸镀在P半导体结构的台面上。本发明在N欧姆接触电极上生长N填平结构，消除了电极焊盘之间的高度差，使电极焊盘处于同一平面。并且本发明在电极焊盘上刻蚀出齿轮状焊接图形，提高了固晶与共晶的稳定性，提高了芯片的推力值。本发明用于倒装发光二极管芯片的制造。
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