[发明专利]发光二极管组件及其制作方法在审
| 申请号： | 202110795218.0 | 申请日： | 2021-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN115621295A | 公开（公告）日： | 2023-01-17 |
| 发明（设计）人： | 蔡明达;张杨;陈靖中 | 申请（专利权）人： | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L33/24;H01L33/10 |
| 代理公司： | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人： | 李发兵 |
| 地址： | 402760 重庆市璧*** | 国省代码： | 重庆;50 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种发光二极管组件及其制作方法，发光二极管组件包括在基板正面上相邻设置的具有高度差的第一发光二极管和第二发光二极管，该高度差使得第二发光二极管的第二有源层在基板正面上的高度，高于第一发光二极管的第二半导体层在基板正面上的高度，从而避免或尽可能减少第二发光二极管的第二有源层产生的光被与之相邻的第一发光二极管的半导体层吸收，提升发光二极管组件整体的出光效率，且不用刻意增大相邻的第一发光二极管和第二发光二极管之间的间距来提升出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 组件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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