[发明专利]发光二极管组件及其制作方法

说明书

本发明涉及一种发光二极管组件及其制作方法，发光二极管组件包括在基板正面上相邻设置的具有高度差的第一发光二极管和第二发光二极管，该高度差使得第二发光二极管的第二有源层在基板正面上的高度，高于第一发光二极管的第二半导体层在基板正面上的高度，从而避免或尽可能减少第二发光二极管的第二有源层产生的光被与之相邻的第一发光二极管的半导体层吸收，提升发光二极管组件整体的出光效率，且不用刻意增大相邻的第一发光二极管和第二发光二极管之间的间距来提升出光效率。

技术领域

本发明涉及发光芯片领域，尤其涉及一种发光二极管组件及其制作方法。

背景技术

目前的发光二极管(Light-emitting diode，LED)，其典型的外延层结构一般由依次叠加的N型半导体层、有源层、P型半导体层组成。而在相关技术中，为了提升出光量，将多颗发光二极管在同一基板上组合成阵列。但是由于组合成阵列后，各发光二极管的半导体层不仅会吸收发光二极管自身的有源层产生的光线，还会吸收相邻的其他发光二极管所产生的光线，特别是随着发光二极管尺寸的小型化，组成阵列的发光二极管之间的间距也越来越小，则发光二极管阵列中各发光二极管的半导体层吸收相邻发光二极管所产生的光线的情况会更严重，导致整体出光效率差。

因此，如何提升发光二极管阵列的出光效率是目前亟需解决的问题。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种发光二极管组件及其制作方法，旨在解决相关技术中，如何提升发光二极管阵列的出光效率的问题。

本发明提供一种发光二极管组件，包括基板，设于所述基板正面之上的第一发光二极管，设于所述基板正面之上并与所述第一发光二极管相邻的第二发光二极管；

所述第一发光二极管包括自远离所述基板正面的方向依次叠加的第一半导体层、第一有源层和第二半导体层，所述第二发光二极管包括自远离所述基板正面的方向依次叠加的第三半导体层、第二有源层和第四半导体层；

所述第二半导体层远离所述基板正面的一面到所述基板正面之间的第一距离，小于等于所述第三半导体层远离所述基板正面的一面到所述基板正面之间的第二距离。

上述发光二极管组件中，其包括在基板正面上相邻设置的第一发光二极管和第二发光二极管，第一发光二极管的第一半导体层和第二发光二极管的第三半导体层靠近基板正面，第一发光二极管的第二半导体层和第二发光二极管的第四半导体层远离基板正面，且第一发光二极管的第二半导体层远离基板正面的一面到基板正面之间的第一距离，小于等于第二发光二极管的第三半导体层远离基板正面的一面到基板正面之间的第二距离，从而使得第二发光二极管的第二有源层在基板正面上的高度，高于第一发光二极管的第二半导体层在基板正面上的高度，发光二极管光线强度最强的位置在有源层的中心处，因此可利用该高度差避免或尽可能减少第二发光二极管的第二有源层产生的光被与之相邻的第一发光二极管的半导体层吸收，从而提升发光二极管组件整体的出光效率，尤其是第二发光二极管所产生的光(例如紫外光)的光能量高容易被半导体材料吸收被转换成热能时，可更好的提升出光效率；且不用刻意增大相邻的第一发光二极管和第二发光二极管之间的间距来提升出光效率。

基于同样的发明构思，本发明还提供一种所述的发光二极管组件的制作方法，包括：

在所述基板正面上制作所述第一发光二极管，并单独制作所述第二发光二极管；

将制作好的所述第二发光二极管转移至所述基板正面上并与所述第一发光二极管相邻设置。