[发明专利]半导体存储装置及其制作方法有效
| 申请号： | 202110771803.7 | 申请日： | 2021-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN113488469B | 公开（公告）日： | 2023-10-17 |
| 发明（设计）人： | 张魁 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 王辉;阚梓瑄 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开提供一种半导体存储装置及其制作方法，涉及半导体技术领域。该半导体存储装置包括：交替层叠设置的氮化层和存储组合单元；其中，存储组合单元的外层为栅极层，栅极层的内侧为环形的沟道区，沟道区的内侧为环形的浮置体；至少一对通孔，分别贯穿存储组合单元，以打断环形的浮置体和沟道区；至少一对通孔中，一个通孔中填充有源极，源极只与两侧的沟道区接触；另一个通孔中填充有漏极，漏极只与两侧的沟道区接触。本公开可以提高半导体存储装置的集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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