[发明专利]半导体存储装置及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体存储装置，其特征在于，包括：

交替层叠设置的氮化层和存储组合单元；其中，所述存储组合单元的外层为栅极层，所述栅极层的内侧为环形的沟道区，所述沟道区的内侧为环形的浮置体；

至少一对通孔，分别贯穿所述存储组合单元，以打断环形的所述浮置体和所述沟道区；

所述至少一对通孔中，一个所述通孔中填充有源极，所述源极只与两侧的所述沟道区接触；另一个所述通孔中填充有漏极，所述漏极只与两侧的所述沟道区接触。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，还包括：

栅氧层，形成于所述栅极层和所述沟道区之间，所述栅氧层为环形。

3.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其特征在于，所述浮置体的内部填充有绝缘体。

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，所述沟道区的掺杂浓度低于所述浮置体的掺杂浓度。

5.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其特征在于，所述浮置体中掺杂有量子点。

6.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，在与所述层叠方向垂直的方向上，所述存储组合单元有多个，多个所述存储组合单元间隔设置，每个所述存储组合单元对应至少一对所述通孔，以及所述源极和所述漏极。

7.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，在层叠方向上，所述存储组合单元有多层。

8.根据权利要求6所述的半导体存储装置，其特征在于，在所述通孔有多对的情况下，相邻的所述通孔中，一个所述通孔用于填充所述源极，另一个所述通孔用于填充所述漏极。

9.根据权利要求1-8中任一项所述的半导体存储装置，其特征在于，在层叠方向上，所述浮置体、所述沟道区和所述栅极层的厚度相同。

10.一种半导体存储装置的制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上依次交替沉积氮化层和氧化层，形成叠层结构；

刻蚀贯穿所述叠层结构的第一通孔；

通过所述第一通孔，刻蚀部分所述氧化层，形成氧化层凹槽；

在所述氧化层凹槽内依次沉积环形的栅氧层、沟道区和浮置体；

在不同位置，刻蚀贯穿所述叠层结构的至少一对第二通孔，所述第二通孔打断环形的所述沟道区和所述浮置体；

在至少一对所述第二通孔中填充不同的材料，以形成连接所述沟道区的源极和漏极；

刻蚀贯穿剩余的所述叠层结构的第三通孔；

通过所述第三通孔，刻蚀剩余的所述氧化层，并沉积栅极材料层，以在所述栅氧层的外侧形成栅极层。

11.根据权利要求10所述的半导体存储装置的制作方法，其特征在于，在所述氧化层凹槽内依次沉积环形的栅氧层、沟道区和浮置体包括：

在所述氧化层凹槽内沉积栅氧层，环形的所述栅氧层形成在剩余的所述氧化层的内侧；

在所述第一通孔中沉积沟道区材料层，所述沟道区材料层填满剩余的所述氧化层凹槽；

刻蚀部分所述沟道区材料层，以在剩余的所述氧化层凹槽内形成与所述栅氧层接触的环形的所述沟道区；

在所述第一通孔中沉积浮置体材料层，所述浮置体材料层填满剩余的所述氧化层凹槽；

刻蚀部分所述浮置体材料层，以在剩余的所述氧化层凹槽内形成与所述沟道区接触的环形的所述浮置体。

12.根据权利要求11所述的半导体存储装置的制作方法，其特征在于，还包括：

在所述第一通孔中填充绝缘材料层，以填满所述第一通孔和剩余的所述氧化层凹槽。