[发明专利]半导体存储装置及其制作方法

说明书

本公开提供一种半导体存储装置及其制作方法，涉及半导体技术领域。该半导体存储装置包括：交替层叠设置的氮化层和存储组合单元；其中，存储组合单元的外层为栅极层，栅极层的内侧为环形的沟道区，沟道区的内侧为环形的浮置体；至少一对通孔，分别贯穿存储组合单元，以打断环形的浮置体和沟道区；至少一对通孔中，一个通孔中填充有源极，源极只与两侧的沟道区接触；另一个通孔中填充有漏极，漏极只与两侧的沟道区接触。本公开可以提高半导体存储装置的集成度。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种半导体存储装置及其制作方法。

背景技术

为了满足消费者对优良性能以及低廉价格的需求，高集成度是半导体存储装置的发展方向。一般，集成度是由单位存储单元所占据面积决定的。

为了提高集成度，在传统的具有一个晶体管和一个电容器的存储单元基础上，提出了可大幅降低存储单元所占据面积的无电容器存储单元。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开的目的在于克服上述现有技术中的不足，提供一种半导体存储装置及其制作方法，可提高半导体存储装置的集成度。

根据本公开的一个方面，提供一种半导体存储装置，包括：

交替层叠设置的氮化层和存储组合单元；其中，所述存储组合单元的外层为栅极层，所述栅极层的内侧为环形的沟道区，所述沟道区的内侧为环形的浮置体；

至少一对通孔，分别贯穿所述存储组合单元，以打断环形的所述浮置体和所述沟道区；

所述至少一对通孔中，一个所述通孔中填充有源极，所述源极只与两侧的所述沟道区接触；另一个所述通孔中填充有漏极，所述漏极只与两侧的所述沟道区接触。

可选的，还包括：

栅氧层，形成于所述栅极层和所述沟道区之间，所述栅氧层为环形。

可选的，所述浮置体的内部填充有绝缘体。

可选的，所述沟道区的掺杂浓度低于所述浮置体的掺杂浓度。

可选的，所述浮置体中掺杂有量子点。

可选的，在与所述层叠方向垂直的方向上，所述存储组合单元有多个，多个所述存储组合单元间隔设置，每个所述存储组合单元对应至少一对所述通孔，以及所述源极和所述漏极。

可选的，在层叠方向上，所述存储组合单元有多层。

可选的，在所述通孔有多对的情况下，相邻的所述通孔中，一个所述通孔用于填充所述源极，另一个所述通孔用于填充所述漏极。

可选的，在层叠方向上，所述浮置体、所述沟道区和所述栅极层的厚度相同。

根据本公开的另一个方面，提供一种半导体存储装置的制作方法，包括：

提供衬底；

在所述衬底上依次交替沉积氮化层和氧化层，形成叠层结构；

刻蚀贯穿所述叠层结构的第一通孔；

通过所述第一通孔，刻蚀部分所述氧化层，形成氧化层凹槽；

在所述氧化层凹槽内依次沉积环形的栅氧层、沟道区和浮置体；

在不同位置，刻蚀贯穿所述叠层结构的至少一对第二通孔，所述第二通孔打断环形的所述沟道区和所述浮置体；

在至少一对所述第二通孔中填充不同的材料，以形成连接所述沟道区的源极和漏极；