[发明专利]封装的半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 202110718925.X | 申请日： | 2021-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN113540059B | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | 余振华;余国宠;董志航 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L23/488;H01L21/50;H10B80/00 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了一种封装的半导体器件及其形成方法。半导体器件包括第一管芯，在第一管芯上的第二管芯以及在第二管芯上的第三管芯，第二管芯介于第一管芯和第三管芯之间。第一管芯包括第一衬底和在第一衬底的有源侧上的第一互连结构。第二管芯包括第二衬底，在第二衬底的背面上的第二互连结构，以及在第二互连结构上的电源分配网络(PDN)结构，使得第二互连结构介于PDN结构和第二衬底之间。 | ||
| 搜索关键词： | 封装 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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