[发明专利]封装的半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一管芯，包括：

第一衬底；

第一互连结构，位于所述第一衬底的背面上；

第二互连结构，位于所述第一衬底的有源侧上；和

第一多个接合焊盘，位于所述第二互连结构上，所述第一多个接合焊盘具有第一节距；

第二管芯，位于所述第一管芯上，所述第二管芯包括：

第二衬底；

第三互连结构，位于所述第二衬底的有源侧上，所述第三互连结构包括第一通孔结构，所述第一通孔结构具有随着所述第一通孔结构远离所述第二衬底延伸而增加的宽度，所述第一通孔结构包括第一扩散阻挡层和在所述第一扩散阻挡层上方的第一导电材料；

第四互连结构，位于所述第二衬底的背面上，所述第四互连结构包括第二通孔结构，所述第二通孔结构具有随着所述第二通孔结构远离所述第二衬底延伸而增加的宽度，所述第二通孔结构包括第二扩散阻挡层和在所述第二扩散阻挡层上方的第二导电材料；

电源分配网络(PDN)结构，位于所述第四互连结构上，使得所述第四互连结构介于所述电源分配网络结构和所述第二衬底之间；

第二多个接合焊盘，位于所述电源分配网络结构上，所述第二多个接合焊盘接合所述第一多个接合焊盘；和

第三多个接合焊盘，位于所述第三互连结构上，所述第三多个接合焊盘具有第二节距，所述第二节距小于所述第一节距；以及

第三管芯，位于所述第二管芯上，其中，所述第二管芯介于所述第一管芯和所述第三管芯之间，所述第三管芯包括：

第三衬底；和

第四多个接合焊盘，位于所述第三衬底的有源侧上，所述第四多个接合焊盘接合到所述第三多个接合焊盘。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一衬底、所述第二衬底和所述第三衬底的侧壁横向对准。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：介电质材料，邻近所述第二衬底的侧壁，所述介电质材料介于所述第一管芯与所述第四互连结构之间。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，自顶向下看，所述第四互连结构的导线具有第一宽度，并且自顶向下看，所述电源分配网络结构的导线具有第二宽度，所述第二宽度大于所述第一宽度。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一管芯通过所述第一多个接合焊盘的相应焊盘与所述第二多个接合焊盘的相应焊盘之间的金属-金属接合而接合到所述第二管芯。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第四互连结构还包括嵌入式功率部件器件。