[发明专利]一种基于FD GeOI工艺的新型CMOS反相器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于FD GeOI工艺的新型CMOS反相器及其制备方法，上述反相器包括采用GeOI衬底的PMOS器件和NMOS器件，PMOS器件与NMOS器件的栅电极相互连接并作为整个CMOS反相器的输入端，PMOS器件与NMOS器件的漏极相互连接并作为整个CMOS反相器的输出端，PMOS器件的源电极接高电源端，NMOS器件的源电极接地；其中，NMOS器件为具有埋层结构的积累模式JLFET，PMOS为常规反型模式的MOSFET。本发明提供的CMOS反相器通过引入具有埋层结构的n型JLFET，使得PMOS器件和n型JLFET器件可采用同功函数的栅极金属，简化了CMOS的栅极设计，降低了工艺复杂度。同时，埋层结构的引入，还可抑制JLFET固有的GIDL效应，并降低了JLFET的阈值电压，有效减少了CMOS的功耗，改善了CMOS性能。