[发明专利]半导体器件及其制作方法、芯片在审
| 申请号： | 202110649504.6 | 申请日： | 2021-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN113394185A | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 赵长林;周玉;胡胜 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 田婷 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制作方法、芯片，半导体器件包括：第一晶圆，第一晶圆包括第一衬底、位于第一衬底上的第一介质层和嵌设在第一介质层中的导电层，第一衬底靠近第一介质层的一侧形成有沟槽隔离层，导电层形成在沟槽隔离层上；硅通孔，硅通孔贯穿第一衬底和沟槽隔离层并暴露出导电层；互连层，互连层填充在硅通孔中并与导电层电连接。本发明的第一晶圆的导电层形成在沟槽隔离层上，如此一来，硅通孔刻蚀过程中产生的大量等离子体被沟槽隔离层阻挡，无法通过导电层进入到第一晶圆，从而减少或避免了硅通孔刻蚀过程引起半导体器件的等离子体诱导损伤(PID)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 芯片 | ||
【主权项】：
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