[发明专利]一种超高真空系统下的制冷型NEA GaN电子源组件结构在审
| 申请号： | 202110635030.X | 申请日： | 2021-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN113488443A | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 王晓晖;张依辰;全卓艺;李嘉璐 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L23/38 | 分类号： | H01L23/38;H01L35/28;H01L35/34 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种超高真空系统下的制冷型NEA GaN电子源组件结构，所述结构由NEA GaN电子源，半导体制冷片，控制系统，温度反馈组件(热电偶)组成；所述控制系统通过导线连接半导体制冷片，并且使用法兰和铜垫圈加以密封；所述半导体制冷片通过铟焊与NEA GaN电子源相连，铟焊在超高真空中能增加半导体晶片和GaN材料之间的热传导；所述热电偶贴合在NEA GaN电子源上；所述NEA GaN电子源与半导体制冷片和热电偶相连接。本结构通过半导体片制冷可使工作在超高真空系统下的NEA GaN电子源温度不至于过高，有效地提高了NEA GaN电子源的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超高 真空 系统 制冷 nea gan 电子 组件 结构 | ||
【主权项】：
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