[发明专利]半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法

摘要

实施方式提供具有高可靠性的半导体存储装置及其制造方法。半导体存储装置具备：第1层叠体，其具备具有第1平均晶体粒径的第1多晶半导体层、具有与第1平均晶体粒径相比较小的第2平均晶体粒径的第2多晶半导体层、第1多晶半导体层与第2多晶半导体层之间的中间层、与第2多晶半导体层相接设置且具有与第1平均晶体粒径相比较小的第3平均晶体粒径的第3多晶半导体层；第2层叠体，其设置于第1层叠体的上方，具有多个导电层和多个绝缘层，各个导电层及各个绝缘层交替层叠且沿第1方向延伸；半导体层，其沿与第1方向相交的第2方向贯穿第2层叠体，与第3多晶半导体层相接设置；以及存储器层，其沿第2方向贯穿第2层叠体，在第1方向上设置于半导体层与导电层之间。