[发明专利]半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体存储装置，其具备：

第1层叠体，其具备具有第1平均晶体粒径的第1多晶半导体层、具有与所述第1平均晶体粒径相比较小的第2平均晶体粒径的第2多晶半导体层、设置于所述第1多晶半导体层与所述第2多晶半导体层之间的中间层、与所述第2多晶半导体层相接设置且具有与所述第1平均晶体粒径相比较小的第3平均晶体粒径的第3多晶半导体层；

第2层叠体，其设置于所述第1层叠体的上方，具有多个导电层和多个绝缘层，各个所述导电层及各个所述绝缘层交替层叠且沿第1方向延伸；

半导体层，其沿与所述第1方向相交的第2方向贯穿所述第2层叠体，与所述第3多晶半导体层相接设置；以及

存储器层，其沿所述第2方向贯穿所述第2层叠体，在所述第1方向上设置于所述半导体层与所述导电层之间。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，

所述第2多晶半导体层与所述第1多晶半导体层相比较薄。

3.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，其中，

所述中间层与所述第2多晶半导体层相比较薄。

4.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，其中，

所述中间层含有氧、碳或氮。

5.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，其中，

所述第3平均晶体粒径与各自包括所述半导体层和所述存储器层的多个柱状体的间距相比较小。

6.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，其中，

所述第3多晶半导体层含有磷。

7.一种半导体存储装置，其具备：

第1层叠体；

第2层叠体，其设置于所述第1层叠体的上方，具有多个导电层和多个绝缘层，各个所述导电层及各个所述绝缘层交替层叠且沿第1方向延伸；以及

柱状体，其沿与所述第1方向相交的第2方向贯穿所述第2层叠体，

所述第1层叠体具备：

第1多晶半导体层，其具有第1平均晶体粒径；

第2多晶半导体层，其具有与所述第1平均晶体粒径相比较小的第2平均晶体粒径；

第1中间层，其设置于所述第1多晶半导体层与所述第2多晶半导体层之间；

第3多晶半导体层，其具有第3平均晶体粒径；

第4多晶半导体层，其具有第4平均晶体粒径；

第5多晶半导体层，其具有与所述第4平均晶体粒径相比较小的第5平均晶体粒径；以及

第2中间层，其设置于所述第4多晶半导体层与所述第5多晶半导体层之间，

所述柱状体具备：

半导体层，其沿所述第2方向贯穿所述第2层叠体，与所述第3多晶半导体层相接设置；以及

电荷储存层，其在所述第1方向上设置于所述半导体层与所述多个导电层中的至少一个之间，

所述第3多晶半导体层设置于所述第2多晶半导体层与所述第5多晶半导体层之间，且与所述第2多晶半导体层及所述第5多晶半导体层相接，

所述第3平均晶体粒径小于所述第1平均晶体粒径且小于所述第4平均晶体粒径。

8.根据权利要求7所述的半导体存储装置，其中，

所述第2多晶半导体层与所述第1多晶半导体层相比较薄，

所述第5多晶半导体层与所述第4多晶半导体层相比较薄。

9.根据权利要求7或8所述的半导体存储装置，其中，

所述第1中间层与所述第2多晶半导体层相比较薄，

所述第2中间层与所述第5多晶半导体层相比较薄。

10.根据权利要求7或8所述的半导体存储装置，其中，

所述第1中间层和所述第2中间层各自含有氧、碳或氮。