[发明专利]半导体器件以及制造半导体结构的方法在审
| 申请号： | 202110594716.9 | 申请日： | 2021-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN113380801A | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 陈重辉;陈东村;黄睿政 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件，包括：第一S/D布置，包括：对应有源区的具有硅化物夹置结构的硅化物夹置部分；对应金属至漏极/源极(MD)接触结构的第一部分；第一通孔至MD(VD)结构；以及第一掩埋通孔至源极/漏极(BVD)结构；栅极结构，位于该对应有源区的沟道部分上方；以及第二S/D布置，包括：该对应有源区的第一掺杂部分；以及至少各项以下中的一个：上接触布置，包括：位于该第一掺杂部分上方的第一硅化物层，该对应MD接触结构的第二部分；以及第二VD结构；或下接触布置，包括：位于该第一掺杂部分下方的第二硅化物层，和第二BVD结构。本申请的实施例还涉及制造半导体结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 以及 制造 半导体 结构 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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