[发明专利]存储器器件、半导体存储器结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202110588736.5 | 申请日： | 2021-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN113380290A | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 姜慧如;林仲德 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/34 | 分类号： | G11C11/34;G11C11/40;G11C11/409;G11C11/4094 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种存储器器件包括多个存储器单元。该多个存储器单元中的第一存储器单元包括第一写入晶体管，该第一写入晶体管包括第一写入栅极、第一写入源极和第一写入漏极。第一读取晶体管包括第一读取栅极、第一读取源极、第一读取漏极以及将第一读取源极与第一读取漏极分离的第一体区。第一读取源极耦合至第一写入源极。第一电容器，具有耦合至第一写入漏极的第一上电容器板和耦合至第一读取晶体管的第一体区的第一下电容器板。本发明的实施例还公开了半导体存储器结构及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 器件 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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