[发明专利]存储器器件、半导体存储器结构及其形成方法

权利要求书

1.一种存储器器件，包括多个存储器单元，其中，所述多个存储器单元中的第一存储器单元包括：

第一写入晶体管，包括第一写入栅极、第一写入源极和第一写入漏极；以及

第一读取晶体管，包括第一读取栅极、第一读取源极、第一读取漏极以及将所述第一读取源极与所述第一读取漏极分离的第一体区，其中，所述第一读取源极耦合至所述第一写入源极；以及

第一电容器，具有耦合至所述第一写入漏极的第一上电容器板和耦合至所述第一读取晶体管的所述第一体区的第一下电容器板。

2.根据权利要求1所述的存储器器件，还包括：

第一写入字线，耦合至所述第一写入栅极；

写入位线，耦合至所述第一写入源极和所述第一读取源极；

写入偏置电路，耦合至所述第一写入字线和所述写入位线，所述写入偏置电路被配置为布置存储在所述第一电容器上的电荷量，其中，所述所存储的电荷量将所述第一读取晶体管的电压阈值布置为对应于至少两个预定数据状态中的一个。

3.根据权利要求2所述的存储器器件，还包括：

读取字线，耦合至所述第一读取栅极；

读取位线，耦合至所述第一读取漏极；

读取偏置电路，耦合至所述第一读取漏极，所述读取偏置电路被配置为通过确定由存储在所述第一电容器上的所述电荷量设置的电压阈值是大于还是小于预定电压阈值而确定存储在所述第一存储器单元中的数据状态。

4.根据权利要求3所述的存储器器件，其中，所述第一写入字线和所述第一读取位线从上面布置有所述多个存储器单元的半导体衬底的上表面向上彼此平行地延伸，并且其中，所述第一写入字线与所述第一读取位线相对于彼此布置在第一存储器单元的相对侧上。

5.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述多个存储器单元中的第二存储器单元在所述第一存储器单元旁边布置，并包括：

第二写入晶体管，包括第二写入栅极、第二写入源极和第二写入漏极；以及

第二读取晶体管，包括第二读取栅极、第二读取源极、第二读取漏极以及将所述第二读取源极与所述第二读取漏极分离的第二体区，其中，所述第二读取源极耦合至所述第二写入源极；

第二电容器，具有耦合至所述第二写入漏极的第二上电容器板和耦合至所述第二读取晶体管的所述第二体区的第二下电容器板；以及

第一写入字线，在所述第一存储器单元与所述第二存储器单元之间延伸，所述第一写入字线耦合至所述第一写入栅极和所述第二写入栅极，并且所述第一和第二存储器单元是关于所述第一写入字线的彼此的镜像。

6.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述多个存储器单元中的第二存储器单元在所述第一存储器单元上方布置，并包括：

第二写入晶体管，包括第二写入栅极、第二写入源极和第二写入漏极；以及

第二读取晶体管，包括第二读取栅极、第二读取源极、第二读取漏极以及将所述第二读取源极与所述第二读取漏极分离的第二体区，其中，所述第二读取源极耦合至所述第二写入源极；

第二电容器，具有耦合至所述第二写入漏极的第二上电容器板和耦合至所述第二读取晶体管的所述第二体区的第二下电容器板；以及

第一写入字线，在所述第一存储器单元和所述第二存储器单元旁边延伸，所述第一写入字线耦合至所述第一写入栅极和所述第二写入栅极。