[发明专利]一种半导体器件结构及其制造方法有效
| 申请号： | 202110588352.3 | 申请日： | 2021-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN113410214B | 公开（公告）日： | 2022-04-19 |
| 发明（设计）人： | 杨天应 | 申请（专利权）人： | 深圳市时代速信科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552;H01L23/482;H01L23/24;H01L21/60 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郭浩辉;颜希文 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市前海深港合作区前*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件结构及其制造方法，包括器件有源区，及位于无源区焊盘和半导体器件边缘之间的金属环路保护结构；所述金属环路保护结构包括设有若干断点的第二互连金属条；所述第二互连金属条位于无源区焊盘和半导体器件边缘之间的介质层刻蚀边界上方，覆盖所述介质层刻蚀边界；所述第二互连金属条在源极焊盘外侧区域与源极焊盘电学连接。本发明提供了一种半导体器件结构及其制造方法，能够提升器件防止水汽侵蚀和离子迁移导致短路的能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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