[发明专利]一种半导体器件结构及其制造方法

说明书

本发明公开了一种半导体器件结构及其制造方法，包括器件有源区，及位于无源区焊盘和半导体器件边缘之间的金属环路保护结构；所述金属环路保护结构包括设有若干断点的第二互连金属条；所述第二互连金属条位于无源区焊盘和半导体器件边缘之间的介质层刻蚀边界上方，覆盖所述介质层刻蚀边界；所述第二互连金属条在源极焊盘外侧区域与源极焊盘电学连接。本发明提供了一种半导体器件结构及其制造方法，能够提升器件防止水汽侵蚀和离子迁移导致短路的能力。

技术领域

本发明涉及化合物半导体器件技术领域，尤其是涉及一种半导体器件结构及其制造方法。

背景技术

在芯片边缘的划片道区域经过切割产生的断面边界，对于化合物半导体而言，具体结构一般为：衬底、半导体材料层、芯片表面介质层的断口。在芯片实际使用过程中，水汽容易从芯片边缘断口部位(界面)侵入芯片内部，导致器件短路失效；当芯片正面栅极焊盘处于低于背面电极电位时，用于背面贴片的导电浆料，会在背面电极至栅极焊盘的电场驱动下发生金属原子迁移问题，最终导致栅极-源极短路。在芯片边缘一圈范围内，即芯片边界与焊盘之间的区域，设置金属保护环覆盖结构有助于解决上述问题。

发明内容

针对上述技术问题，本发明提供了一种半导体器件结构及其制造方法，能够提供一种性能更好的金属环路保护结构。所述技术方案如下：

本发明实施例提供了一种半导体器件结构，包括半导体器件有源区，无源区焊盘，及位于所述无源区焊盘和半导体器件边缘之间的金属环路保护结构；所述无源区焊盘包括栅极焊盘、源极焊盘、漏极焊盘；

所述金属环路保护结构包括设有若干断点的第二互连金属条；

所述第二互连金属条位于无源区焊盘和半导体器件边缘之间的介质层刻蚀边界上方，覆盖所述介质层刻蚀边界；

所述第二互连金属条在所述半导体器件的源极焊盘外侧区域与所述源极焊盘电学连接。

作为优选方案，所述半导体器件包括第一介质层和第二介质层；所述第二互连金属条位于所述半导体器件的无源区的焊盘和所述半导体器件的边界之间的第二介质层刻蚀边界上方，并覆盖所述第二介质层刻蚀边界。

作为优选方案，所述第二互连金属条设有若干断点，具体为：

所述第二互连金属条之间至少存在2个电学隔离的第一断点，所述第一断点位于源极焊盘与漏极焊盘之间的隔离区域的外围区域；

所述第二互连金属条沿平行于所述第二介质层刻蚀边界方向的单根金属条长度大于3000微米时，在所述半导体器件的栅极焊盘的外围处，所述第二互连金属条上设置至少1个第二断点，在漏极焊盘外围所述第二互连金属条上设置至少1个第三断点。

作为优选方案，所述第二断点处断开的第二互连金属条通过第一互连金属条连接，具体为：

在所述第二断点处设置第一互连金属条，所述第一互连金属条位于所述第二介质层刻蚀边界外侧；

所述第一互连金属条端头位于所述第二互连金属条端头下方、被所述第二互连金属条覆盖；或者，所述第一互连金属条端头位于所述第二互连金属条端头上方、覆盖所述第二互连金属条端头。

作为优选方案，所述第二断点处断开的第二互连金属条通过第一互连金属条连接，具体为：

在所述第二断点处设置第一互连金属条，所述第一互连金属条局部位于所述第二介质层刻蚀边界下方；

所述第一互连金属条端头位于所述第二互连金属条端头下方、被所述第二互连金属条覆盖。

作为优选方案，所述第二断点处断开的第二互连金属条通过第一互连金属条连接，具体为：

在所述第二断点处设置第一互连金属条，所述第一互连金属条覆盖所述第二介质层刻蚀边界；