[发明专利]一种半导体器件结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件结构，其特征在于，包括半导体器件有源区，无源区焊盘，及位于所述无源区焊盘和半导体器件边缘之间的金属环路保护结构；所述无源区焊盘包括栅极焊盘、源极焊盘、漏极焊盘；

所述金属环路保护结构包括设有若干断点的第二互连金属条；

所述第二互连金属条位于无源区焊盘和半导体器件边缘之间的介质层刻蚀边界上方，覆盖所述介质层刻蚀边界；

所述第二互连金属条在所述半导体器件的源极焊盘外侧区域与所述源极焊盘电学连接。

2.如权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，所述半导体器件包括第一介质层和第二介质层；所述第二互连金属条位于所述半导体器件的无源区焊盘和所述半导体器件的边界之间的第二介质层刻蚀边界上方，并覆盖所述第二介质层刻蚀边界。

3.如权利要求2所述的半导体器件结构，其特征在于，所述第二互连金属条设有若干断点，具体为：

所述第二互连金属条之间至少存在2个电学隔离的第一断点，所述第一断点位于源极焊盘与漏极焊盘之间的隔离区域的外围区域；

所述第二互连金属条沿平行于所述第二介质层刻蚀边界方向的单根金属条长度大于3000微米时，在所述半导体器件的栅极焊盘的外围处，所述第二互连金属条上设置至少1个第二断点，在漏极焊盘外围所述第二互连金属条上设置至少1个第三断点。

4.如权利要求3所述的半导体器件结构，其特征在于，所述第二断点处断开的第二互连金属条通过第一互连金属条连接，具体为：

在所述第二断点处设置第一互连金属条，所述第一互连金属条位于所述第二介质层刻蚀边界外侧；

所述第一互连金属条端头位于所述第二互连金属条端头下方、被所述第二互连金属条覆盖；或者，所述第一互连金属条端头位于所述第二互连金属条端头上方、覆盖所述第二互连金属条端头。

5.如权利要求3所述的半导体器件结构，其特征在于，所述第二断点处断开的第二互连金属条通过第一互连金属条连接，具体为：

在所述第二断点处设置第一互连金属条，所述第一互连金属条局部位于所述第二介质层刻蚀边界下方；

所述第一互连金属条端头位于所述第二互连金属条端头下方、被所述第二互连金属条覆盖。

6.如权利要求3所述的半导体器件结构，其特征在于，所述第二断点处断开的第二互连金属条通过第一互连金属条连接，具体为：

在所述第二断点处设置第一互连金属条，所述第一互连金属条覆盖所述第二介质层刻蚀边界；

所述第一互连金属条端头被所述第二互连金属条端头覆盖；或者，所述第一互连金属条端头位于所述第二互连金属条端头上方，覆盖所述第二互连金属条端头。

7.如权利要求3所述的半导体器件结构，其特征在于，所述第二断点处断开的第二互连金属条通过第一互连金属条连接，具体为：

在每个所述第二断点的两个端头、所述第二互连金属条端头下方及外围附近设置2个独立的第一互连金属条，所述第一互连金属条被所述第二互连金属条端头覆盖、形成电连接，所述第一互连金属条与半导体层形成欧姆接触，所述第一互连金属条之间通过半导体层或二维电子气进行电学连接。

8.如权利要求2所述的半导体器件结构，其特征在于，所述第二互连金属条在垂直于所述第二介质层刻蚀边界的方向上存在分支结构。

9.如权利要求4或5所述的半导体器件结构，其特征在于，所述第一互连金属条与半导体层形成欧姆接触。

10.一种半导体器件结构的制造方法，其特征在于，用于制作如权利要求1至9任一种半导体器件结构，步骤包括：

在所述半导体器件的栅极焊盘外围区域制作第一互连金属条；

进行第二次金属互连介质开孔刻蚀，去除栅极焊盘、漏极焊盘顶部需开孔区域的介质层，同时，去除划片道区域内介质层；所述划片道区域包含栅极焊盘外围所述第一互连金属条，所述划片道区域的边界为第二介质层刻蚀边界；

制作第二互连金属条，在栅极焊盘的外围区域，所述第二介质层刻蚀边界上方覆盖第二互连金属条。