[发明专利]半导体存储装置在审

专利信息
申请号: 202110577103.4 申请日: 2021-05-26
公开(公告)号: CN114975455A 公开(公告)日: 2022-08-30
发明(设计)人: 永嶋贤史 申请(专利权)人: 铠侠股份有限公司
主分类号: H01L27/11524 分类号: H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11582
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 杨林勳
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 实施方式提供一种适宜地动作的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备:半导体衬底,在第1方向及与第1方向交叉的第2方向上延伸;多个存储块,排列在第1方向上;及块间构造,设置在多个存储块之间。存储块具备多个导电层、多个第1半导体层及多个电荷储存部。多个导电层排列在与第1方向及第2方向交叉的第3方向上,且在第2方向上延伸。多个第1半导体层在第3方向上延伸,且与多个导电层对向。多个电荷储存部设置在多个导电层与多个第1半导体层之间。块间构造具备在第2方向及第3方向上延伸的第2半导体层。多个第1半导体层及第2半导体层是半导体衬底的一部分。
搜索关键词: 半导体 存储 装置
【主权项】:
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