[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，具备：

半导体衬底，在第1方向及与所述第1方向交叉的第2方向上延伸；

多个存储块，排列在所述第1方向上；及

块间构造，设置在所述多个存储块之间；

所述存储块具备：

多个导电层，排列在与所述第1方向及所述第2方向交叉的第3方向上，且在所述第2方向上延伸；

多个第1半导体层，在所述第3方向上延伸，且与所述多个导电层对向；及

多个电荷储存部，设置在所述多个导电层与所述多个第1半导体层之间；

所述块间构造具备在所述第2方向及所述第3方向上延伸的第2半导体层，且所述多个第1半导体层及所述第2半导体层是所述半导体衬底的一部分。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述半导体衬底具备正面及背面，

所述正面具备第1面、及在所述第3方向上设置在所述第1面与所述背面之间的第2面，且

所述第2半导体层的所述第3方向上的一侧的面是所述第1面的一部分。

3.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其中所述多个导电层的所述第3方向上的位置设置在所述第2半导体层的所述第3方向上的一端与所述第2半导体层的所述第3方向上的另一端之间。

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述第1半导体层

在所述第3方向上的第1位置，具有所述第1方向或所述第2方向上的第1宽度，

在所述第3方向上的第2位置，具有所述第1方向或所述第2方向上的第2宽度，

所述第2位置比所述第1位置更靠近所述半导体衬底的背面，且

所述第2宽度的大小为所述第1宽度以上。

5.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其中所述第2宽度大于所述第1宽度。

6.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述第2半导体层

在所述第3方向上的第3位置，具有所述第1方向上的第3宽度，

在所述第3方向上的第4位置，具有所述第1方向上的第4宽度，

所述第4位置比所述第3位置更靠近所述半导体衬底的背面，且

所述第4宽度的大小为所述第3宽度以上。

7.根据权利要求6所述的半导体存储装置，其中所述第4宽度大于所述第3宽度。

8.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述多个导电层包含第1导电层及第2导电层，

所述第2导电层比所述第1导电层更靠近所述半导体衬底的背面，且

所述第2导电层的所述第3方向上的宽度的大小为所述第1导电层的所述第3方向上的宽度以上。

9.根据权利要求8所述的半导体存储装置，其中所述第2导电层的所述第3方向上的宽度大于所述第1导电层的所述第3方向上的宽度。

10.根据权利要求1所述的半导体存储装置，具备排列在所述第2方向上的第1区域及第2区域，

所述第1区域具备

所述多个导电层的一部分、

所述多个第1半导体层、及

所述多个电荷储存部，且

所述第2区域具备

所述多个导电层的一部分、及

在所述第3方向上延伸且连接于所述多个导电层的多个接触电极。

11.根据权利要求10所述的半导体存储装置，其中所述第2区域具备多个第1绝缘层，

所述多个第1绝缘层

排列在所述第1方向及所述第2方向的至少一方向上，

在所述第3方向上延伸，且

在所述第2方向及所述第1方向的至少一方向上，连接于所述多个导电层。