[发明专利]半导体存储装置

说明书

实施方式提供一种适宜地动作的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：半导体衬底，在第1方向及与第1方向交叉的第2方向上延伸；多个存储块，排列在第1方向上；及块间构造，设置在多个存储块之间。存储块具备多个导电层、多个第1半导体层及多个电荷储存部。多个导电层排列在与第1方向及第2方向交叉的第3方向上，且在第2方向上延伸。多个第1半导体层在第3方向上延伸，且与多个导电层对向。多个电荷储存部设置在多个导电层与多个第1半导体层之间。块间构造具备在第2方向及第3方向上延伸的第2半导体层。多个第1半导体层及第2半导体层是半导体衬底的一部分。

[相关申请]

本申请享有以日本专利申请2021-025717号(申请日：2021年2月19日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包括基础申请的全部内容。

技术领域

本实施方式涉及一种半导体存储装置。

背景技术

已知有一种半导体存储装置，其具备：衬底；多个导电层，积层在与该衬底表面交叉的方向上；半导体层，与这些多个导电层对向；以及栅极绝缘层，设置在导电层及半导体层之间。栅极绝缘层例如具备氮化硅(Si₃N₄)等绝缘性电荷储存层或浮动栅极等导电性电荷储存层等能够存储数据的存储器部。

发明内容

本发明要解决的问题是提供一种适宜地动作的半导体存储装置。

一实施方式的半导体存储装置具备：半导体衬底，在第1方向及与第1方向交叉的第2方向上延伸；多个存储块，排列在第1方向上；及块间构造，设置在多个存储块之间。存储块具备多个导电层、多个第1半导体层及多个电荷储存部。多个导电层排列在与第1方向及第2方向交叉的第3方向上，且在第2方向上延伸。多个第1半导体层在第3方向上延伸，且与多个导电层对向。多个电荷储存部设置在多个导电层与多个第1半导体层之间。块间构造具备在第2方向及第3方向上延伸的第2半导体层。多个第1半导体层及第2半导体层是半导体衬底的一部分。

附图说明

图1是第1实施方式的半导体存储装置的示意性俯视图。

图2是该半导体存储装置的示意性俯视图。

图3是该半导体存储装置的示意性俯视图。

图4是该半导体存储装置的示意性立体图。

图5是该半导体存储装置的示意性剖视图。

图6是该半导体存储装置的示意性剖视图。

图7是用来对该半导体存储装置的制造方法进行说明的示意性俯视图。

图8是用来对该制造方法进行说明的示意性剖视图。

图9是用来对该制造方法进行说明的示意性剖视图。

图10是用来对该制造方法进行说明的示意性俯视图。

图11是用来对该制造方法进行说明的示意性剖视图。

图12是用来对该制造方法进行说明的示意性俯视图。

图13是用来对该制造方法进行说明的示意性剖视图。

图14是用来对该制造方法进行说明的示意性剖视图。

图15是用来对该制造方法进行说明的示意性剖视图。

图16是用来对该制造方法进行说明的示意性剖视图。

图17是用来对该制造方法进行说明的示意性剖视图。

图18是用来对该制造方法进行说明的示意性剖视图。

图19是用来对该制造方法进行说明的示意性剖视图。