[发明专利]扇出型封装方法及扇出型封装器件在审

专利信息
申请号: 202110552999.0 申请日: 2021-05-20
公开(公告)号: CN113380637A 公开(公告)日: 2021-09-10
发明(设计)人: 刘在福;曾昭孔;郭瑞亮;陈武伟 申请(专利权)人: 苏州通富超威半导体有限公司
主分类号: H01L21/50 分类号: H01L21/50;H01L21/52;H01L21/56;H01L23/31;H01L23/488
代理公司: 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 代理人: 黎坚怡
地址: 215000 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 本申请提供了一种扇出型封装方法及扇出型封装器件,所述扇出型封装方法具体包括:在硅片的第一表面形成多个第一凹槽;在至少部分第一凹槽内设置芯片,其中,芯片包括相背设置的功能面和非功能面,非功能面朝向第一凹槽的底部,且功能面上设置有第一导电柱,第一导电柱突出于第一表面;在第一表面形成塑封层,塑封层覆盖第一凹槽,且第一导电柱从塑封层中露出;从与第一表面相背设置的第二表面一侧对硅片进行研磨,直至非功能面位置处的硅片的厚度小于或等于阈值。通过上述方式,本申请能够降低芯片偏移的概率,提升扇出型封装器件的良率。
搜索关键词: 扇出型 封装 方法 器件
【主权项】:
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