[发明专利]扇出型封装方法及扇出型封装器件

说明书

本申请提供了一种扇出型封装方法及扇出型封装器件，所述扇出型封装方法具体包括：在硅片的第一表面形成多个第一凹槽；在至少部分第一凹槽内设置芯片，其中，芯片包括相背设置的功能面和非功能面，非功能面朝向第一凹槽的底部，且功能面上设置有第一导电柱，第一导电柱突出于第一表面；在第一表面形成塑封层，塑封层覆盖第一凹槽，且第一导电柱从塑封层中露出；从与第一表面相背设置的第二表面一侧对硅片进行研磨，直至非功能面位置处的硅片的厚度小于或等于阈值。通过上述方式，本申请能够降低芯片偏移的概率，提升扇出型封装器件的良率。

技术领域

本申请属于封装技术领域，具体涉及一种扇出型封装方法及扇出型封装器件。

背景技术

现有的扇出型封装方法一般包括如下几个流程：A、将多个芯片阵列排布于设置有胶层的基板上，且芯片的功能面朝向基板；B、在基板设置有多个芯片一侧形成塑封层；C、去除胶层和基板；D、在芯片的功能面上形成输出结构。

上述扇出型封装方法中，在塑封过程中由于基板受热膨胀，其可能会导致芯片的位置发生偏移，影响后续输出结构的形成，进而可能导致扇出型封装器件的良率降低。

发明内容

本申请提供一种扇出型封装方法及扇出型封装器件，以解决塑封过程中基板受热膨胀，导致芯片位置发生偏移的技术问题。

为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种扇出型封装方法，包括：在硅片的第一表面形成多个第一凹槽；在至少部分所述第一凹槽内设置芯片，其中，所述芯片包括相背设置的功能面和非功能面，所述非功能面朝向所述第一凹槽的底部，且所述功能面上设置有第一导电柱，所述第一导电柱突出于所述第一表面；在所述第一表面形成塑封层，所述塑封层覆盖所述第一凹槽，且所述第一导电柱从所述塑封层中露出；从与所述第一表面相背设置的第二表面一侧对所述硅片进行研磨，直至所述非功能面位置处的所述硅片的厚度小于或等于阈值。

其中，所述在至少部分所述第一凹槽内设置芯片的步骤之前，还包括：在所述第一表面形成多个第二凹槽，所述第二凹槽的深度大于或等于所述第一凹槽的深度，且所述第二凹槽在所述第一表面上的正投影的面积小于所述第一凹槽在所述第一表面上的正投影的面积；所述在所述第一表面形成塑封层的步骤之前，还包括：在所述第二凹槽位置处形成第二导电柱；所述在所述第一表面形成塑封层的步骤中，所述第二导电柱从所述塑封层中露出。

其中，所述从与所述第一表面相背设置的第二表面一侧对所述硅片进行研磨，直至所述非功能面位置处的所述硅片的厚度小于或等于阈值的步骤，包括：从与所述第一表面相背设置的第二表面一侧对所述硅片进行研磨，直至所述第二导电柱位置处的所述硅片完全去除。

其中，所述在至少部分所述第一凹槽内设置芯片的步骤，包括：利用底填胶将所述芯片的所述非功能面固定设置于所述第一凹槽内。

其中，所述利用底填胶将所述芯片的所述非功能面固定设置于所述第一凹槽内的步骤之前，还包括：在所述第一凹槽的侧壁和/或底部形成散热层。

其中，所述第一表面设置有多个划片槽，所述在硅片的第一表面形成多个第一凹槽的步骤，包括：利用刀具从第一表面一侧对准相邻两个所述划片槽相对设置的两个侧壁，并切割去除掉相邻两个划片槽之间的所述硅片，以形成所述第一凹槽；其中，所述第一凹槽的深度大于划片槽的深度。

其中，所述从与所述第一表面相背设置的第二表面一侧对所述硅片进行研磨，直至所述非功能面位置处的所述硅片的厚度小于或等于阈值的步骤之后，还包括：利用刀具对准相邻两个所述第一凹槽之间的所述硅片的中心线，并切割去除掉相邻两个第一凹槽之间的部分结构，以分裂所述硅片。