[发明专利]集成芯片及其形成方法在审
| 申请号： | 202110507106.0 | 申请日： | 2021-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN114695310A | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 谢得贤;张宇行;陈益民 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 在一些实施例中，本公开涉及一种集成芯片，其包含配置在衬底或第一介电层内的导电结构。第一阻挡层配置在导电结构的最外部侧壁和底部表面上。第二阻挡层配置在第一阻挡层的外部表面上。第二阻挡层将第一阻挡层与衬底或第一介电层隔开。第二介电层配置在衬底或第一介电层上方。通孔结构延伸穿过第二介电层，直接配置在第一阻挡层和第二阻挡层的最顶部表面上方，且通过第一阻挡层和第二阻挡层电耦合到导电结构。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 芯片 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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