[发明专利]半导体及其制作方法在审
| 申请号： | 202110482487.1 | 申请日： | 2021-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN113241300A | 公开（公告）日： | 2021-08-10 |
| 发明（设计）人： | 沈亮 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/78;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 田婷 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体及其制作方法，制作方法包括：提供一晶圆，所述晶圆包括衬底、位于所述衬底上的介质层和嵌设于所述介质层中的金属层；采用硅通孔工艺在所述晶圆的芯片间的位置形成沟槽，所述沟槽贯穿所述介质层和部分厚度的所述衬底；在所述沟槽中形成填充物；将所述晶圆形成所述沟槽的一侧表面固定；对所述衬底远离所述介质层的一侧减薄至至少暴露出所述沟槽。本发明在晶圆加工环节，采用硅通孔(TSV)工艺对晶圆芯片间的位置进行深刻蚀至一定厚度，后续封装环节只需要进行背面减薄即可完成芯片分割。本发明简化了封装工艺；TSV工艺制作的沟槽宽度可以达到几个微米，可以有效节省划片道占用的晶圆面积，从而降低芯片生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
