[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202110467208.4 | 申请日： | 2019-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN112968011A | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 陈赫;华子群;伍术;王永庆;肖亮 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/528;H01L23/535;H01L25/18;H01L27/11526;H01L27/11556;H01L27/11573;H01L27/11582;H01L21/683;H01L21/768;H01L23/00 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 林锦辉;刘景峰 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括半导体结构和输入/输出焊盘。半导体结构包括第一衬底和导电层，其中，第一衬底具有彼此相对的第一表面和第二表面，导电层设置在第一衬底的第一表面上，并且导电层包括一个或多个第一迹线。第一半导体结构具有穿过第一衬底并且暴露出一个或多个第一迹线的凹陷，并且输入/输出焊盘设置在一个或多个第一迹线上并且在凹陷中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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