[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种三维存储器件，包括：

第一半导体结构，其包括第一衬底和导电层，其中，所述第一衬底具有彼此相对的第一表面和第二表面，所述导电层设置在所述第一衬底的所述第一表面上，并且所述导电层包括一个或多个第一迹线；以及

设置在所述一个或多个第一迹线上的输入/输出焊盘；

其中，所述第一半导体结构具有穿过所述第一衬底并且暴露出所述一个或多个第一迹线的凹陷，并且所述输入/输出焊盘被设置在所述凹陷中。

2.根据权利要求1所述的三维存储器件，还包括键合到所述第一半导体结构的第二半导体结构。

3.根据权利要求2所述的三维存储器件，其中，所述第二半导体结构包括多个NAND串。

4.根据权利要求3所述的三维存储器件，其中，所述第一半导体结构还包括在所述第一衬底上的外围器件，并且NAND串中的一个NAND串电连接到所述外围器件。

5.根据权利要求1所述的三维存储器件，还包括设置在所述第一衬底的所述第二表面上的第一绝缘层，其中，所述第一绝缘层具有对应于所述凹陷的开口。

6.根据权利要求1所述的三维存储器件，其中，所述第一半导体结构还包括在所述第一衬底的所述第一表面和第一导电层之间的第二绝缘层，其中，所述凹陷穿过所述第二绝缘层。

7.根据权利要求6所述的三维存储器件，其中，所述输入/输出焊盘的厚度小于所述第二绝缘层的厚度。

8.根据权利要求1所述的三维存储器件，其中，所述第一半导体结构还包括在所述第一衬底上的外围器件。

9.根据权利要求8所述的三维存储器件，其中，所述导电层还包括电连接到所述外围器件的至少两个第二迹线。

10.根据权利要求1所述的三维存储器件，其中，所述输入/输出焊盘直接接触所述一个或多个第一迹线。

11.根据权利要求1所述的三维存储器件，其中，所述一个或多个迹线的宽度大于所述凹陷的底部的宽度。

12.一种三维存储器件的制造方法，包括：

提供暂时性半导体结构，其中，所述暂时性半导体结构包括暂时性衬底和导电层，所述暂时性衬底具有第一表面，所述导体层被设置在所述暂时性衬底的所述第一表面上，并且所述导电层包括一个或多个第一迹线；

在所述暂时性半导体结构中形成凹陷，以形成第一半导体结构和第一衬底，其中，所述凹陷穿过所述第一衬底并且暴露出所述一个或多个第一迹线；以及

在所述凹陷中并且在所述一个或多个第一迹线上形成输入/输出焊盘。

13.根据权利要求12所述的三维存储器件的制造方法，其中，提供所述暂时性半导体结构包括提供键合到所述暂时性半导体结构的第二半导体结构。

14.根据权利要求13所述的三维存储器件的制造方法，其中，所述第二半导体结构包括多个NAND串。

15.根据权利要求12所述的三维存储器件的制造方法，还包括将所述暂时性衬底的与所述第一表面相对的表面变薄，以在提供所述暂时性半导体结构和形成所述凹陷之间形成第二表面。

16.根据权利要求12所述的三维存储器件的制造方法，还包括在提供所述暂时性半导体结构和形成所述凹陷之间，在所述暂时性衬底上形成第一绝缘层，其中，所述第一绝缘层具有暴露出所述暂时性衬底的开口。