[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202110460675.4 | 申请日： | 2021-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN115249745A | 公开（公告）日： | 2022-10-28 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/265;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：衬底；位于所述衬底上的第一鳍部；位于所述衬底上的第二鳍部，所述第二鳍部包括位于所述衬底上的第一阻挡层、位于所述第一阻挡层上的第二阻挡层、以及位于所述第二阻挡层上的沟道层；位于第一鳍部内和部分衬底内的第一阱区；位于第二鳍部内和部分衬底内的第二阱区；位于所述衬底表面的隔离结构层，所述隔离结构层位于所述第一鳍部和所述第二鳍部侧壁，且所述隔离结构层暴露出所述沟道层。所述第一阻挡材料层可以阻挡初始第一阱区内的掺杂离子向沟道材料层的横向扩散，以使后续形成的第一鳍部和第二鳍部内的掺杂离子浓度稳定，提高了形成的器件的沟道区内掺杂离子浓度的稳定性，从而提高器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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