[发明专利]一种Ⅳ-Ⅵ族红外半导体薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 202110441818.7 | 申请日： | 2021-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN113279063A | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | 王启胜;王立;吴识腾;王震东 | 申请（专利权）人： | 南昌大学 |
| 主分类号： | C30B29/46 | 分类号： | C30B29/46;C30B25/18 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 许莹莹 |
| 地址： | 330000 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种IV‑VI族红外半导体薄膜的制备方法，采用气相外延法进行制备，该方法以含IV‑VI族元素的化合物为反应源，反应源还可包含VI族单质材料，以与IV‑VI族红外半导体晶体晶格对称性匹配的晶体基片作为基底，以氩气为载气，VI族单质反应源温度为100‑500℃，IV‑VI族化合物反应源的温度范围为600‑1000℃，基底温度范围为300‑600℃，生长时间不少于6分钟。本发明还公开了上述方法制备的IV‑VI族红外半导体薄膜，包括PbS、PbSe、PbTe、Pb |
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| 搜索关键词： | 一种 红外 半导体 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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