[发明专利]具有在电介质层上的具有带有有源区域的低欧姆部分和高欧姆部分的半导体管芯的电子组件在审
| 申请号： | 202110434586.2 | 申请日： | 2021-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN113539983A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | D·波沃尔;T·菲舍尔;U·赛德尔;A·施特尔滕波尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/14;H01L21/56 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘书航;周学斌 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了具有在电介质层上的具有带有有源区域的低欧姆部分和高欧姆部分的半导体管芯的电子组件。一种电子组件(100)，包括模制层(102)和半导体管芯(104)，半导体管芯(104)包括低欧姆的第一部分(142)和高欧姆的第二部分(144)，其中第一部分(142)具有有源区域(140)，并且第二部分(144)被布置在模制层(102)上。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电介质 带有 有源 区域 欧姆 部分 半导体 管芯 电子 组件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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