[发明专利]具有在电介质层上的具有带有有源区域的低欧姆部分和高欧姆部分的半导体管芯的电子组件

权利要求书

1.一种电子组件(100)，被配置为被包封以形成封装(120)，所述电子组件(100)包括：

·模制层(102)；以及

·半导体管芯(104)，其包括低欧姆的第一部分(142)和高欧姆的第二部分(144)，其中第一部分(142)具有有源区域(140)，并且第二部分(144)被布置在模制层(102)上。

2.根据权利要求1所述的电子组件(100)，包括以下特征中的至少之一：

其中模制层(102)包括模制箔(106)或者由模制箔(106)构成；

其中模制层(102)包括模制板(108)或者由模制板(108)构成。

3.根据权利要求1或2所述的电子组件(100)，其中模制层(102)是双模制层。

4.根据权利要求1至3中的任何一项所述的电子组件(100)，其中模制层(102)包括：树脂基质(150)，树脂基质(150)特别是包括环氧树脂；以及在树脂基质(150)中的填充物颗粒(152)，填充物颗粒(152)特别是包括金属氧化物。

5.根据权利要求1至4中的任何一项所述的电子组件(100)，其中有源区域(140)具有至少一个集成电路元件(148)，特别是具有至少一个晶体管和/或至少一个二极管。

6.根据权利要求1至5中的任何一项所述的电子组件(100)，包括在模制层(102)和半导体管芯(104)之间的粘接层(154)。

7.根据权利要求1至6中的任何一项所述的电子组件(100)，其中有源区域(140)具有小于1μm的厚度(L)，特别是具有在从50 nm到500 nm的范围内、更特别地在从100 nm到200 nm的范围内的厚度(L)。

8.根据权利要求1至7中的任何一项所述的电子组件(100)，其中半导体管芯(104)具有未经处理的半导体材料，未经处理的半导体材料具有小于150μm的厚度(B)。

9.根据权利要求1至8中的任何一项所述的电子组件(100)，其中半导体管芯(104)具有在从1μm到200μm的范围内、特别是在从10μm到40μm的范围内、更特别地在从20μm到30μm的范围内的厚度(D)。

10.根据权利要求1至9中的任何一项所述的电子组件(100)，包括以下特征中的至少之一：

高欧姆的第二部分(144)包括具有至少500Ωcm、特别是至少1000Ωcm的电阻率的半导体材料；

低欧姆的第一部分(142)包括具有小于100Ωcm、特别是小于10Ωcm的电阻率的半导体材料；

半导体管芯(100)是绝缘体上硅管芯；

半导体管芯(100)包括由硅、锗、氮化镓、砷化镓、磷化铟、碳化硅、蓝宝石、金刚石和类金刚石涂层构成的组中的至少一种材料。

11.根据权利要求1至10中的任何一项所述的电子组件(100)，包括在半导体管芯(104)的主表面上的导电后道工序结构(110)，半导体管芯(104)的该主表面与在模制层(102)上的半导体管芯(104)的另一主表面相对。

12.根据权利要求11所述的电子组件(100)，其中后道工序结构(110)被直接连接到半导体管芯(104)的有源区域(140)。

13.根据权利要求11或12所述的电子组件(100)，包括突出超过后道工序结构(110)的至少一个导电突出部(111)。

14.根据权利要求1至13中的任何一项所述的电子组件(100)，其中半导体管芯(104)是有源半导体管芯，特别是高频半导体管芯。