[发明专利]半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202110397795.4 | 申请日： | 2021-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN115207104A | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 金玄永;边大一;徐康元;项金娟;李亭亭;刘青 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 | 代理人： | 孙峰芳 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制备方法，该半导体器件包括：衬底，所述衬底上形成有栅极沟槽和隔离沟槽；覆盖于所述栅极沟槽与所述隔离沟槽的内表面上并覆盖于所述衬底表面的栅介电层；覆盖于所述栅介电层表面的阻挡层；覆盖于所述阻挡层上方并充满所述栅极沟槽与所述隔离沟槽的导电金属层，所述导电金属层使用包括钨元素和银元素的金属化合物。本发明的半导体器件具有低电阻的埋栅结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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