[发明专利]半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202110397795.4 | 申请日： | 2021-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN115207104A | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 金玄永;边大一;徐康元;项金娟;李亭亭;刘青 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 | 代理人： | 孙峰芳 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底上形成有栅极沟槽和隔离沟槽；
栅介电层，覆盖于所述栅极沟槽与所述隔离沟槽的内表面上并覆盖于所述衬底表面；
阻挡层，覆盖于所述栅介电层表面；
导电金属层，覆盖于所述阻挡层上方并充满所述栅极沟槽与所述隔离沟槽，所述导电金属层使用包括钨元素和银元素的金属化合物。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述金属化合物为Ag(x)W(y)C，其中x、y分别表示银元素和钨元素所占的质量百分比，10％≤x≤50％。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述栅介电层为SiO2、ZrO2和HfO中的一种或者几种的混合。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述阻挡层为TiN、TaN和WN中的任一种。
5.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：
提供衬底，在所述衬底上形成栅极沟槽和隔离沟槽；
形成栅介电层，所述栅介电层覆盖于所述栅极沟槽与所述隔离沟槽的内表面上并覆盖于所述衬底表面；
形成阻挡层，所述阻挡层覆盖于所述栅介电层表面；
形成导电金属层，所述导电金属层覆盖于所述阻挡层上方并充满所述栅极沟槽与所述隔离沟槽，所述导电金属层使用包括钨元素和银元素的金属化合物。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述金属化合物为Ag(x)W(y)C，其中x、y分别表示银元素和钨元素所占的质量百分比，10％≤x≤50％。
7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，形成导电金属层的步骤通过原子层沉积的方式实现，包括：
向反应室中循环脉冲通入含钨元素的第一金属有机前驱体、还原剂前驱体、含银元素的第二金属有机前驱体以及还原剂前驱体。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述含钨元素的第一金属有机前驱体使用WF6、WCl3、W(CO)6或者W(Cp)2H2。
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述含银元素的第二金属有机前驱体使用Ag(fod)(PEt3)或者(NHC)Ag(btsa)。
10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述还原剂前驱体使用NH3、N2、H2、He、Ar和N2O中的一种或多种的混合。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司，未经中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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