[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202110390759.5 | 申请日： | 2021-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN115206936A | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 施维;熊鹏;李强;金吉松;吴轶超 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底上形成有核心层；在核心层中形成沿第一方向延伸的间隔槽、以及沿第一方向延伸的多个平行排列的第一沟槽，间隔槽沿第二方向的尺寸小于或等于两倍侧墙宽度，且第一沟槽沿第二方向的尺寸大于两倍侧墙宽度，在第一方向上，相邻第一沟槽通过间隔槽相连通，或者，第一沟槽和间隔槽沿第二方向平行排列，其中，第二方向平行于基底表面且垂直于第一方向；形成覆盖第一沟槽侧壁的侧墙，侧墙还填充于间隔槽中，作为间隔层；形成间隔层后，去除剩余的核心层，形成第二沟槽；以侧墙和间隔层为掩膜，沿第一沟槽和第二沟槽刻蚀基底，形成目标图形。本发明实施例有利于提高图形传递的精度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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