[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202110377921.X | 申请日： | 2021-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN115207118A | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 卜小芬;张英男;张永兴;于书坤 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供衬底，所述衬底包括基底以及位于部分所述基底上的鳍部；形成所述鳍部表面的初始伪栅氧层；形成横跨所述鳍部的伪栅极，所述伪栅极位于所述初始伪栅氧层的部分表面；对所述伪栅极暴露出的所述初始伪栅氧层进行改性处理，使所述伪栅极暴露出的所述初始伪栅氧层形成改性层，所述伪栅极未暴露出的所述初始伪栅氧层形成伪栅氧层；在所述衬底上形成层间介质层，所述层间介质层还位于所述伪栅极侧壁，且暴露出所述伪栅极顶部表面；去除所述伪栅极和所述伪栅氧层，在所述层间介质层内形成开口，所述开口底部暴露出部分所述鳍部，改善了因去除伪栅氧层带来的栅极足部的增大，进而提高器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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