[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底包括基底以及位于部分所述基底上的鳍部；

横跨所述鳍部的伪栅极，所述伪栅极位于部分鳍部侧壁和顶部表面；

位于所述鳍部表面的伪栅氧层和改性层，所述伪栅极位于所述伪栅氧层上方且暴露出所述改性层，所述伪栅氧层和所述改性层的材料不同；

位于所述衬底上的层间介质层，所述层间介质层还位于所述伪栅极侧壁，且暴露出所述伪栅极顶部表面。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底还包括位于所述基底上的隔离结构，所述隔离结构还位于所述鳍部部分侧壁，且所述隔离结构顶部表面低于所述鳍部的顶部表面；所述伪栅极位于所述隔离结构部分顶部表面。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述伪栅极底部在沿平行于所述衬底表面方向上的尺寸大于所述伪栅极顶部在沿平行于所述衬底表面方向上的尺寸。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，以栅极代替所述伪栅极和所述伪栅氧层。

5.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括基底以及位于部分所述基底上的鳍部；

形成所述鳍部表面的初始伪栅氧层；

形成横跨所述鳍部的伪栅极，所述伪栅极位于所述初始伪栅氧层的部分表面；

对所述伪栅极暴露出的所述初始伪栅氧层进行改性处理，使所述伪栅极暴露出的所述初始伪栅氧层形成改性层，所述伪栅极未暴露出的所述初始伪栅氧层形成伪栅氧层；

在所述衬底上形成层间介质层，所述层间介质层还位于所述伪栅极侧壁，且暴露出所述伪栅极顶部表面；

去除所述伪栅极和所述伪栅氧层，在所述层间介质层内形成开口，所述开口底部暴露出部分所述鳍部。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在所述开口内形成栅极。

7.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述伪栅氧层的刻蚀工艺对所述改性层和所述伪栅氧层的选择比小于1。

8.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述改性层后，形成所述层间介质层前，在所述伪栅极侧壁形成侧墙，所述侧墙位于部分改性层表面；所述开口侧壁暴露出所述侧墙。

9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述伪栅氧层的材料包括氧化硅；所述侧墙的材料包括氮化硅或氮氧化硅中的一者或两者的结合。

10.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述伪栅氧层的刻蚀工艺对所述改性层和所述侧墙的选择比范围为1：1至4：1。

11.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述改性层的形成工艺包括：以所述伪栅极为掩膜，采用离子注入到所述伪栅极暴露出的所述初始伪栅氧层中；所述离子注入后，对所述初始伪栅氧层进行退火处理。

12.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述离子注入的工艺参数包括：所述离子包括氮离子，所述离子剂量范围为2.5E15 atom/cm³至7E15 atom/cm³。

13.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述退火处理的工艺参数包括：退火温度范围为700℃至1200℃。