[发明专利]半导体存储器和数据写入方法在审
申请号: | 202110355210.2 | 申请日: | 2021-04-01 |
公开(公告)号: | CN115167754A | 公开(公告)日: | 2022-10-11 |
发明(设计)人: | 尚为兵;李红文;冀康灵 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06 |
代理公司: | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 纪婷婧 |
地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请实施例涉及一种半导体存储器和数据写入方法,所述半导体存储器包括:至少一个存储阵列,所述存储阵列包括多个数据存储单元和多个校验位存储单元;校验模块,用于接收写入数据,并根据所述写入数据生成校验数据;数据传输模块,分别与所述校验模块、所述存储阵列连接,用于传输所述写入数据至所述数据存储单元,并传输所述校验数据至所述校验位存储单元;其中,所述校验数据的第一传输时长短于所述写入数据的第二传输时长,所述第一传输时长为所述校验数据由数据传输模块传输至校验位存储单元所需的时长,所述第二传输时长为所述写入数据由数据传输模块传输至数据存储单元所需的时长。 | ||
搜索关键词: | 半导体 存储器 数据 写入 方法 | ||
【主权项】:
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