[发明专利]一种二维半导体场效应管及其制备工艺、一种半导体器件

摘要

本发明涉及一种二维半导体场效应管及其制备工艺、一种半导体器件，二维半导体场效应管从下至上依次包括：绝缘衬底区、导电沟道区、栅极区；其中，导电沟道区包括源、漏极、第一绝缘介质层、二维半导体层，第一绝缘介质层位于源、漏极之间，二维半导体层两端与源、漏极电连接形成源、漏端；栅极区包括高K介电层、金属栅和第二绝缘介质层，金属栅和第二绝缘介质层位于高K介电层上，第二绝缘介质层中包括多个通孔，通孔中的电极引线电连接二维半导体层的源、漏端、金属栅，本发明还相应公开了二维半导体场效应管的制备工艺。本发明适用于碳纳米管以及新型二维材料等没办法通过自对准形成源漏接触的工艺；制备工艺流程简单，在沉积二维半导体层前，形成源漏互连层图形，减少了二维材料沉积后形成源漏接触时的损伤，有利于提高器件的性能和良率。