[发明专利]碳化硅功率器件及其制备方法、钝化结构在审
| 申请号： | 202110337338.6 | 申请日： | 2021-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN113097160A | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 陶永洪;蔡文必;徐少东 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京超成律师事务所 11646 | 代理人： | 王雪 |
| 地址： | 361100 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种碳化硅功率器件及其制备方法、钝化结构，涉及半导体器件技术领域。该钝化结构应用于碳化硅功率器件，包括设置于衬底上的碳化硅外延层，以及依次形成于碳化硅外延层上的肖特基金属层和正面金属层；钝化结构还包括厚度小于或等于0.1μm的钝化层，钝化层包括设置在碳化硅外延层上的第一部和与第一部连续的第二部，第二部至少包覆正面金属层的部分侧壁。该钝化结构能够有效解决器件在经过TCT测试后，器件钝化层发生开裂而引起器件可靠性降低，甚至失效的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 功率 器件 及其 制备 方法 钝化 结构 | ||
【主权项】：
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