[发明专利]半导体台面器件形成方法在审
| 申请号： | 202110335748.7 | 申请日： | 2021-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN115148589A | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 曾剑飞 | 申请（专利权）人： | 力特半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/48;H01L21/768;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 谭营营;胡彬 |
| 地址： | 214142 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种形成半导体器件的方法可以包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一极性的内部区域和被布置在内部区域上的表面层，其中所述表面层包括与第一极性相反的第二极性。所述方法可以进一步包括使用锯去除半导体衬底的表面部分，其中沟槽区域被形成在半导体衬底内，并且使用化学工艺清洗沟槽区域，其中至少一个台面结构被形成在半导体衬底内。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 台面 器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
