[发明专利]半导体台面器件形成方法

权利要求书

1.一种形成半导体器件的方法，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一极性的内部区域，和被布置在所述内部区域上的表面层，其中所述表面层包括与所述第一极性相反的第二极性；

使用锯去除所述半导体衬底的表面部分，其中沟槽区域被形成在所述半导体衬底内；并且

使用化学工艺清洗所述沟槽区域，其中至少一个台面结构被形成在所述半导体衬底内。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述沟槽区域包括沟槽深度，其中所述沟槽深度至少与所述表面层的厚度一样大。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述沟槽深度至少为2密尔。

4.根据权利要求3所述的方法，其中沟槽宽度在5密尔至50密尔之间。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述沟槽区域被设置在限定了多个台面的栅格图案中。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述清洗之后，将所述沟槽区域钝化。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述化学工艺包括MAE刻蚀，其中所述MAE刻蚀去除所述沟槽区域的表面中的残留的半导体碎屑和离子污染物。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体器件包括TVS器件。

9.一种形成半导体器件的方法，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一极性的内部区域，和被布置在所述内部区域上的表面层，其中所述表面层包括与所述第一极性相反的第二极性；并且

使用锯来限定半导体衬底中的栅格图案，其中所述栅格图案包括在X-Y栅格中被形成的沟槽区域，其中所述沟槽区域延伸穿过整个所述表面层，其中多个台面被形成在所述表面层中，其中所述多个台面的给定台面是与所述多个台面的其它台面电绝缘的。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述沟槽区域的沟槽深度至少为2密尔。

11.根据权利要求10所述的方法，其中沟槽宽度在5密尔至50密尔之间。

12.根据权利要求9所述的方法，还包括：

将所述沟槽区域化学地清洗；并且

在所述化学地清洗之后，将所述沟槽区域钝化。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述化学地清洗包括执行MAE刻蚀，其中所述MAE刻蚀去除所述沟槽区域的表面中的残留的半导体碎屑和离子污染物。

14.根据权利要求9所述的方法，其中所述半导体器件包括TVS器件。

15.一种形成半导体器件的方法，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一极性的内部区域，和在所述半导体衬底的第一侧上被布置在所述内部区域上的第一表面层，和在与所述第一侧相对的所述半导体衬底的第二侧上被布置在所述内部区域上的第二表面层，其中，所述第一表面层和所述第二表面层包括与所述第一极性相反的第二极性；

在第一表面上使用锯去除所述半导体衬底的第一表面部分，并且在第二表面上使用锯去除所述半导体衬底的第二表面部分，其中第一沟槽区域被形成在所述第一表面上的半导体衬底内，并且第二沟槽区域被形成在所述第二表面上的半导体衬底内；以及

使用化学工艺清洗所述第一沟槽区域和所述第二沟槽区域，其中至少一个台面结构被形成在所述第一侧上的半导体衬底内，并且至少一个额外台面结构被形成在所述第二侧上的半导体衬底内。

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述第一沟槽区域和所述第二沟槽区域包括沟槽深度，其中所述沟槽深度至少与所述第一表面层的第一厚度和所述第二表面层的第二厚度一样大。