[发明专利]半导体台面器件形成方法

说明书

一种形成半导体器件的方法可以包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一极性的内部区域和被布置在内部区域上的表面层，其中所述表面层包括与第一极性相反的第二极性。所述方法可以进一步包括使用锯去除半导体衬底的表面部分，其中沟槽区域被形成在半导体衬底内，并且使用化学工艺清洗沟槽区域，其中至少一个台面结构被形成在半导体衬底内。

技术领域

实施例涉及半导体器件的领域，并且更具体地涉及使用台面型结构的半导体器件。

背景技术

当今，半导体器件可以采用台面型结构以形成有源器件。根据已知的方法，台面结构可以形成用于包括多个不同极性层的半导体衬底的电绝缘。例如，半导体衬底可以包括在内部区域中的n型区域和在n型区域上方朝向半导体衬底的表面形成的p型层。为了形成台面型器件，以便实现衬底区的电绝缘以形成台面，用于形成台面的周界可以由光刻来限定。例如，光致抗蚀剂层可以被沉积在衬底上，并且掩膜或其它装置可以被用于限定光致抗蚀剂层内台面的周界。然后，光致抗蚀剂层可以被图案化以生成将被刻蚀的衬底的暴露区域。随后的湿法刻蚀工艺可以被执行以去除限定周界的衬底的表面部分，从而形成台面。然后周界区域例如可以被钝化。这种形成台面的方法可能涉及多个操作，包括光致抗蚀剂涂层、掩膜校准、显影、过度烘烤，以及可能涉及WNDR，NBA，石英掩膜材料。

鉴于以上的考虑，对于上述台面工艺的改进可能是有用的。

针对这些及其它考虑，本公开被提供。

主要内容

在一个实施例中，提供了一种形成半导体器件的方法。所述方法可以包括提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一极性的内部区域和被布置在内部区域上的表面层，其中所述表面层包括与第一极性相反的第二极性。所述方法可以进一步包括使用锯去除半导体衬底的表面部分，其中沟槽区域被形成在半导体衬底内，并且使用化学工艺清洗沟槽区域，其中至少一个台面结构被形成在半导体衬底内。

在另一实施例中，一种形成半导体器件的方法可以包括提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一极性的内部区域和被布置在内部区域上的表面层，其中所述表面层包括与第一极性相反的第二极性。所述方法还可以包括使用锯以限定半导体衬底中的栅格图案，其中所述栅格图案包括在X-Y栅格中形成的沟槽区域，其中所述沟槽区域延伸穿过整个表面层，其中多个台面被形成在表面层中，其中多个台面的给定台面是与多个台面的其它台面电绝缘的。

在又一实施例中，提供了一种形成半导体器件的方法。所述方法可以包括提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一极性的内部区域，和在半导体衬底的第一侧上被布置在内部区域的第一表面层，和在与第一侧相对的半导体衬底的第二侧上被布置在内部区域的第二表面层。照此，第一表面层和第二表面层可以包括与第一极性相反的第二极性。所述方法可以包括在第一表面上使用锯去除半导体衬底的第一表面部分，并且在第二表面上使用锯去除半导体衬底的第二表面部分。照此，第一沟槽区域可以被形成在第一表面上的半导体衬底内，并且第二沟槽区域可以被形成在第二表面上的半导体衬底内。所述方法可以包括使用化学工艺清洗第一沟槽区域和第二沟槽区域，其中至少一个台面结构被形成在第一侧上的半导体衬底内，并且至少一个额外的台面结构被形成在第二侧上的半导体衬底内。

附图说明

图1A和图1B示出了根据本公开的各种实施例的在台面器件结构的形成期间的不同阶段处的衬底的侧视横截面图。

图1C示出了在如图1B中指示的形成的阶段处的衬底的俯视平面图。

图2A和图2B示出了根据本公开的各种实施例的在台面器件结构的形成期间的不同阶段处的衬底的侧视横截面图。

图3描绘了一种示例性流程图。

图4描绘了另一示例性流程图。

具体实施方式