[发明专利]半导体存储装置在审
申请号: | 202110335193.6 | 申请日: | 2021-03-29 |
公开(公告)号: | CN113921523A | 公开(公告)日: | 2022-01-11 |
发明(设计)人: | 赵珉熙;朴玄睦;宋宇彬;李玟洙;李元锡 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/11517 | 分类号: | H01L27/11517;H01L27/11521;H01L27/11551 |
代理公司: | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人: | 李娜;赵莎 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供了一种半导体存储装置。所述装置可以包括:下栅极线,所述下栅极线设置在衬底上并且沿第一方向延伸;上栅极线,所述上栅极线与所述下栅极线垂直交叠并且沿所述第一方向延伸;第一电容器,所述第一电容器设置在所述下栅极线和所述上栅极线之间;第二电容器,所述第二电容器设置在所述下栅极线和所述上栅极线之间并且在所述第一方向上与所述第一电容器间隔开;下半导体图案,所述下半导体图案设置为穿过所述下栅极线并且连接到所述第一电容器;上半导体图案,所述上半导体图案设置为穿过所述上栅极线并且连接到所述第二电容器;以及下绝缘图案,所述下绝缘图案设置在所述第二电容器和所述下栅极线之间以覆盖所述第二电容器的底表面的整个区域。 | ||
搜索关键词: | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的