[发明专利]半导体存储装置

说明书

提供了一种半导体存储装置。所述装置可以包括：下栅极线，所述下栅极线设置在衬底上并且沿第一方向延伸；上栅极线，所述上栅极线与所述下栅极线垂直交叠并且沿所述第一方向延伸；第一电容器，所述第一电容器设置在所述下栅极线和所述上栅极线之间；第二电容器，所述第二电容器设置在所述下栅极线和所述上栅极线之间并且在所述第一方向上与所述第一电容器间隔开；下半导体图案，所述下半导体图案设置为穿过所述下栅极线并且连接到所述第一电容器；上半导体图案，所述上半导体图案设置为穿过所述上栅极线并且连接到所述第二电容器；以及下绝缘图案，所述下绝缘图案设置在所述第二电容器和所述下栅极线之间以覆盖所述第二电容器的底表面的整个区域。

相关申请的交叉引用

本专利申请要求于2020年7月10日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2020-0085543的优先权，其全部内容通过引用整体合并于此。

技术领域

本公开涉及半导体存储装置，并且更具体地，涉及具有改善的电特性和更高的可靠性的半导体存储装置。

背景技术

为了满足对高度集成的半导体装置的日益增长的需求，金属氧化物半导体场效应晶体管正在积极地按比例缩小。然而，半导体器件的最小特征尺寸或临界尺寸(CD)的减小导致互连线的电阻和其间的静电电容的增加，由此难以实现半导体装置的高速操作。因此，正在进行各种研究以克服与半导体存储装置的缩小相关联的技术限制并实现具有高性能性质的半导体存储装置。

发明内容

本发明构思的实施例提供了具有改善的电特性和更高的可靠性的半导体存储装置。

根据本发明构思的实施例，一种半导体存储装置可以包括：下栅极线，所述下栅极线设置在衬底上，并且沿第一方向纵长地延伸；上栅极线，所述上栅极线与所述下栅极线垂直交叠，并且沿所述第一方向纵长地延伸；第一电容器，所述第一电容器设置在所述下栅极线和所述上栅极线之间；第二电容器，所述第二电容器设置在所述下栅极线和所述上栅极线之间，并且在所述第一方向上与所述第一电容器间隔开；下半导体图案，所述下半导体图案设置为穿过所述下栅极线并且连接到所述第一电容器；上半导体图案，所述上半导体图案设置为穿过所述上栅极线并且连接到所述第二电容器；以及下绝缘图案，所述下绝缘图案设置在所述第二电容器和所述下栅极线之间，以覆盖所述第二电容器的底表面的整个区域。

根据本发明构思的实施例，一种半导体存储装置可以包括：下栅极线，所述下栅极线设置在衬底上，并且沿第一方向纵长地延伸；下导电线，所述下导电线设置在所述衬底和所述下栅极线之间，并且沿垂直于所述第一方向的第二方向纵长地延伸；上栅极线，所述上栅极线与所述下栅极线垂直交叠，并且沿所述第一方向纵长地延伸；上导电线，所述上导电线设置在所述上栅极线上，并且沿所述第二方向纵长地延伸；第一电容器，所述第一电容器设置在所述下栅极线和所述上栅极线之间；第二电容器，所述第二电容器设置在所述下栅极线和所述上栅极线之间，并且在所述第一方向上与所述第一电容器间隔开；下绝缘图案，所述下绝缘图案设置在所述第一电容器和所述下栅极线之间以及所述第二电容器和所述下栅极线之间；上绝缘层，所述上绝缘层设置在所述第一电容器和所述上栅极线之间以及所述第二电容器和所述上栅极线之间；下半导体图案，所述下半导体图案设置为穿过所述下栅极线和所述下绝缘图案，并且将所述第一电容器连接到所述下导电线中的一条下导电线；以及上半导体图案，所述上半导体图案设置为穿过所述上栅极线和所述上绝缘层，并且将所述第二电容器连接到所述上导电线中的一条上导电线。所述下导电线中的两条相邻的下导电线之间的距离可以大于所述第一电容器和所述第二电容器之间的距离。