[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，所述半导体存储装置包括：

下栅极线，所述下栅极线设置在衬底上，并且沿第一方向纵长地延伸；

上栅极线，所述上栅极线与所述下栅极线垂直交叠，并且沿所述第一方向纵长地延伸；

第一电容器，所述第一电容器设置在所述下栅极线和所述上栅极线之间；

第二电容器，所述第二电容器设置在所述下栅极线和所述上栅极线之间，并且在所述第一方向上与所述第一电容器间隔开；

下半导体图案，所述下半导体图案设置为穿过所述下栅极线并且连接到所述第一电容器；

上半导体图案，所述上半导体图案设置为穿过所述上栅极线并且连接到所述第二电容器；以及

下绝缘图案，所述下绝缘图案设置在所述第二电容器和所述下栅极线之间，以覆盖所述第二电容器的底表面的整个区域。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，所述下绝缘图案的厚度小于所述下栅极线的厚度。

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，所述下绝缘图案在垂直于所述第一方向的第二方向上具有与所述下栅极线相同的宽度。

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，所述下半导体图案设置为垂直地穿过所述下绝缘图案。

5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，所述半导体存储装置还包括：

下导电线，所述下导电线设置在所述衬底和所述下栅极线之间，并且沿垂直于所述第一方向的第二方向纵长地延伸，

其中，所述下半导体图案的底表面连接到所述下导电线的顶表面，并且所述下半导体图案的顶表面连接到所述第一电容器的底表面。

6.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，所述下半导体图案包括氧化物半导体。

7.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，所述下半导体图案包含铟元素、镓元素、锌元素和氧元素。

8.根据权利要求1所述的半导体存储装置，所述半导体存储装置还包括：

下导电线，所述下导电线设置在所述衬底和所述下栅极线之间，并且连接到所述下半导体图案；以及

上导电线，所述上导电线设置在所述上栅极线上，并且连接到所述上半导体图案，

其中，所述下导电线和所述上导电线沿垂直于所述第一方向的第二方向纵长地延伸。

9.根据权利要求8所述的半导体存储装置，其中，所述下导电线和所述上导电线在所述第一方向上彼此间隔开。

10.根据权利要求1所述的半导体存储装置，所述半导体存储装置还包括：上绝缘层，所述上绝缘层设置在所述第一电容器和所述上栅极线之间，以覆盖所述第一电容器的顶表面的整个区域。

11.根据权利要求10所述的半导体存储装置，其中，所述上绝缘层的厚度小于所述上栅极线的厚度。