[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 202110313423.9 申请日: 2021-03-24
公开(公告)号: CN113745183A 公开(公告)日: 2021-12-03
发明(设计)人: 丸山力宏;高桥圣一 申请(专利权)人: 富士电机株式会社
主分类号: H01L23/48 分类号: H01L23/48;H01L23/488
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 包跃华;金玉兰
地址: 日本神奈*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供一种半导体装置,其能够确保恒定的压入载荷。半导体装置具有:电路图案;接触部件(30),形成有圆筒状的贯通孔(31c),并且一侧的开口端部接合于电路图案;以及外部连接端子(50),具备棱柱状的主干部(51),并且主干部(51)的前端部(53)侧插入到贯通孔(31c)。然后,外部连接端子(50)在主干部(51)的前端部形成有锥面(53a)。接触部件(30)在贯通孔(31c)的内周面(31a)形成有插入卡止部(35)。此时,插入卡止部(35)形成于比插入到贯通孔(31c)的外部连接端子(50)的主干部靠插入方向侧的位置。因此,确保用于将外部连接端子(50)插入接触部件(30)的恒定的压入载荷。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
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