[发明专利]用于形成封装半导体装置的方法在审
| 申请号： | 202110310276.X | 申请日： | 2021-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN113451118A | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 萨沙·默勒;古伊多·阿尔贝曼;米夏埃尔·策纳克 | 申请（专利权）人： | 恩智浦有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L21/78;H01L21/56 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 孙尚白 |
| 地址： | 荷兰埃因霍温高科*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种具有多个管芯的半导体晶片附接到支撑结构。所述半导体晶片包括在硅层上方的有效层，其中所述有效层在顶侧处，并且底侧暴露所述硅层。当所述晶片附接到所述支撑结构时，使红外激光束聚焦穿过所述硅层的一部分，以沿着位于所述多个管芯中的相邻管芯之间的锯线形成改性区。之后，在所述半导体晶片的所述底侧处的暴露的硅层上形成金属层。将所述金属层附接到扩展带，并且通过延伸所述扩展带以使所述多个管芯中的所述管芯沿着所述锯线分离来单切所述晶片。封装所述多个管芯中的第一单切管芯，以形成封装半导体装置。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 封装 半导体 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于恩智浦有限公司，未经恩智浦有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110310276.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：图像读取装置及图像读取控制方法
- 下一篇：扭矩矢量控制装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
